EN 62417:2010-05

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Halbleiterbauelemente -

Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET)

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Enthält:

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22.04.2010 Aktuell
IEC 62417:2010-04
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall- Oxid-Halbleiter (MOSFET)

Entwurf war:

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29.01.2010 Historisch
FprEN 62417:2010-01
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall- Oxid-Halbleiter (MOSFET)

Dieses Dokument entspricht:

EuropäischInternational

EN 62417:2010-05

IEC 62417:2010-04

Dokumentart
Europäische Norm
Status
Aktuell
Erscheinungsdatum
07.05.2010
Sprache
Deutsch
Zuständiges Gremium
Kontakt
Referat
Stipe Mandic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

9_z6v.3r4uztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-573

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

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